8月4日消息，三星宣布全球首款2nm制程手機芯片Exynos 2600將于2026年初隨Galaxy S26系列正式亮相。憑借自研的2nm GAA工藝、十核心架構設計以及AI與散熱技術的全面升級，三星試圖在高端芯片市場重奪主動權。
Exynos 2600的核心亮點在于其采用的三星第二代3nm GAA工藝的升級版——2nm GAA技術。這一工藝通過環繞式柵極設計，實現了對電流的更精準控制，相比傳統FinFET工藝，漏電率降低超30%，能效提升約24%。據供應鏈消息，三星計劃于2025年下半年啟動量產，年底前完成首批出貨，確保與Galaxy S26系列的開發周期無縫銜接。
值得關注的是，三星的2nm工藝量產時間較臺積電（預計2026年量產）提前近一年，而高通驍龍8 Elite 3、蘋果A20系列、聯發科天璣9600等競品均依賴臺積電2nm節點，發布時間或滯后至2026年下半年。這意味著Exynos 2600將擁有約半年的“獨占期”，成為2026年上半年高端手機的性能標桿。
在架構設計上，Exynos 2600采用1+3+6十核心配置，兼顧單核爆發與多核并行能力：1顆超大核主頻3.55GHz，基于Arm最新Travis架構（三星深度定制），單核性能較前代提升顯著；3顆大核主頻2.96GHz，優化多任務處理效率；6顆小核主頻2.46GHz，主打低功耗場景能效。早期工程樣機的跑分數據已初露鋒芒：Geekbench 6單核2155分、多核7788分（非最終版本，仍有優化空間）；3DMark Steel Nomad Light GPU得分3135分，較驍龍8 Elite提升約15%，圖形渲染能力躋身行業第一梯隊。
為應對AI大模型對算力的需求，Exynos 2600的NPU（神經網絡處理單元）性能大幅升級，支持更復雜的設備端AI任務，例如實時語音翻譯、4K視頻超分、智能場景優化等。三星表示，其AI算力可滿足未來三年內手機端側大模型運行需求，為語音助手、影像處理等場景提供底層支持。散熱方面，三星首次在手機SoC封裝中引入代號HPB（Heat Pass Block）的高導熱銅合金層，置于處理器與DRAM之間，大幅提升熱傳導效率；結合FOWLP（扇出型晶圓級封裝）技術，減少高負載場景下的頻率降級與能耗損耗，確保持續高性能輸出。
Exynos 2600將由Galaxy S26系列部分地區版本首發搭載，延續三星旗艦芯片與手機協同優化的傳統。
